采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术，在InP (100)衬底上生长In0.82Ga0.18As，研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、......

采用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18......

根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGa1-xAs临界厚度的数值解,得......

采用低压金属有机化学气相淀积（LP-MOCVD）技术,在InP（100）衬底上生长In0.82Ga0.18As,研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶......